设计应用

InGaAs/GaAs多量子阱近红外光探测结构设计与表征

作者：李林森，汪 涛，朱 喆
发布日期：2021-07-05
来源：2021年电子技术应用第7期

0 引言

    光探测器是一种能够将光信号转换成电信号的器件，因为近红外光覆盖的波长范围较宽(760 nm~2 526 nm)，对其进行探测分析具有潜在的军民用价值，例如，可以通过近红外光探测进行敌我识别、战略预警，红外制导可以实现末端打击，红外夜视可用于单兵作战，民用领域主要有近红外光纤通信、工业探伤检测、气象探测与地球资源探测、安防监控等[1-4]。正是因为近红外探测的诸多应用需求，使得全世界范围内的科研工作者倾注了大量的精力去研究近红外特测材料、结构及器件。近年来，随着对固体物理、半导体物理的认识不断深入，以及先进制造技术例如分子束外延(MBE)、金属化合物气相沉积(MOCVD)、原子层沉积(ALD)等的不断发展，科研工作者可以根据半导体能带结构与特征设计一些新颖的结构例如量子阱、量子点等以实现各探测波段的高性能，并通过先进的半导体制程实现探测器的小尺寸和高可靠性。




本文详细内容请下载：http://www.chinaaet.com/resource/share/2000003668。




作者信息：

李林森，汪  涛，朱  喆

(华东微电子研究所 微系统安徽省重点实验室，安徽 合肥230088)




wd.jpg

此内容为AET网站原创，未经授权禁止转载。
InGaAsGaAs 多量子阱 红外

Copyright © 2005-2024 华北计算机系统工程研究所版权所有 京ICP备10017138号-2