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Flash阵列无效块管理

作者：焦新泉1，2，朱振麟1，2
发布日期：2024-03-20
来源：电子技术应用

引言

近年来伴随着航空航天领域的不断发展，获取到的空间信息的种类也越来越多，数据量急剧增加，对数据存储装置存储速度和可靠性带来了更大的挑战。NAND Flash具有体积小、容量大、成本低、可多次擦除等优点，在数据存储领域得到广泛应用。近年来，大多数存储装置采用多片Flash组成阵列，并采用流水线的存储机制来实现高速大容量的数据存储[1]。其中镁光半导体公司Luca Nubile等人提出了一种针对Flash存储阵列的多线程控制算法，该算法对系统的逻辑开销、存储速度和容量等性能就行了优化[2]； 俄罗斯的Puryga等人研发的汤姆逊散射诊断数据采集系统同样包含多片存储单元，它允许以5 GHz采样率采集八通道数据[3]；但由于NAND Flash生产过程中工艺等问题，每片Flash都不可避免存在无效块，而且无效块数量不定，地址随机[4]。这对Flash阵列数据存储的可靠性带来了一定的影响。若采用单片Flash坏块的管理方法，在往Flash中存储数据之前对每一块进行扫描，并生成坏块信息表，这种方法应用在Flash阵列的坏块检测中时，会极大地限制存储速度，占用过多的内部资源。


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作者信息：

焦新泉1，2，朱振麟1，2

1.中北大学 仪器科学与动态测试教育部重点实验室  中北大学 电子测试技术国家重点实验室


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Flash阵列 固有坏块 整合块 突发坏块

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