LG电子启动混合键合设备开发追逐未来HBM内存制造关键技术
发布日期：2025-07-14
来源：IT之家
7 月 13 日消息，韩媒 SEDaily 今日报道称，LG 电子下属的生产技术研究所 (PTI) 已启动混合键合设备开发，目标在 2028 年实现大规模量产。
混合键合未来将毫无疑问地成为 16+ 层堆叠 HBM 内存堆栈构建的关键技术，其采用无凸块的铜-铜键合，缩小各层 DRAM Die 间距，能在有限的高度内实现更高层数堆叠，且具备更低发热。
目前在 HBM 内存混合键合机台开发方面，Besi 和应用材料处于领先地位，而韩国两大内存企业 SK 海力士和三星电子有实现关键设备供应本地化的需求，LG 电子有望在这部分市场分得一杯羹。
另一方面，LG 电子已定下强化 AI 与 B2B 业务的愿景，混合键合设备同时符合这两大目标。
