美国团队研发出超耐高温新型存储芯片
发布日期：2026-04-03
来源：IT之家
4 月 3 日消息，科技媒体 TechSpot 今天（4 月 3 日）发布博文，报道称南加州大学团队研发新型存储芯片，可在 700°C 高温下稳定运行，且未出现性能退化迹象。
援引博文介绍，传统芯片在 200°C 左右便会失效，而南加州大学维特比工程学院的研究团队所研发的电子存储器件，能在 700°C 高温下依然保持稳定，这个温度相当于熔岩（约 700~1200 °C），且未出现性能退化迹象。
这项突破的核心在于一种名为“忆阻器”的纳米级元件，兼具数据存储与处理功能，此外团队采用了独特的“三明治”结构设计：顶层是高熔点的钨，中间是作为陶瓷绝缘体的氧化铪，底层则是单原子层石墨烯。
这种材料组合有效防止了高温下金属原子迁移导致的短路问题。实验显示，该器件在 700°C 下无需刷新即可保持数据超过 50 小时，耐受超过 10 亿次开关操作，且仅需 1.5 伏电压即可在纳秒级速度下运行。
该技术的应用前景广阔。航天机构长期寻求能在 500°C 以上工作的硬件，以便在金星表面等极端环境中作业。
这款芯片的出现，让行星探测器、地热钻井系统和核反应堆配备现场计算硬件成为可能，不再依赖远程控制系统。此外，忆阻器通过物理过程直接执行矩阵运算，能显著提升 AI 系统的运算效率并降低能耗。
图源：南加州大学维特比工程学院