SK海力士发力1c DRAM 良率已升至80%
发布日期：2026-04-09
来源：快科技
4月9日消息，据媒体报道，SK海力士正加快提升其10纳米第六代（1c）DRAM的竞争力，用于该工艺的极紫外（EUV）设备投资较原计划增加了约三倍。
业内人士透露，SK海力士正集中精力推进1c DRAM技术的发展，以应用于第七代高带宽内存（HBM）HBM4E的核心芯片，并计划于今年交付样品。
由于HBM的最大客户英伟达计划于明年下半年推出搭载HBM4E的下一代AI加速器“Vera Rubin Ultra”，SK海力士必须加快研发步伐。
SK海力士计划在正在推进1c DRAM工艺转换的生产线上部署EUV扫描仪，包括清州M15X、利川M16以及龙仁半导体集群的首家工厂。
据业内人士透露，SK海力士通用DRAM的1c DRAM良率已提升至80%。该公司计划今年将超过一半的DRAM产能转换为1c工艺产品，预计到年底将确保约19万片的产能。