三星今年非存储业务亏损将收窄41.8%

9月30日消息，根据Kiwoom证券最新分析报告预测，2026年度三星电子非存储部门的年度营业亏损预计将从2025年的6.74万亿韩元（约51亿美元）大幅缩减至2026年的3.92万亿韩元（约29.5亿美元），亏损收窄达41.8%。

报告分析称，三星电子晶圆代工与系统LSI业务的亏损，正因高带宽内存（HBM）需求的爆发式增长迎来结构性改善。特别是HBM4所带来的技术架构的变革。

与传统HBM不同，HBM4的底部基底芯片（Base Die）不再沿用成熟的DRAM衍生工艺，而是首次转向先进的逻辑代工工艺。由于AI高性能计算对芯片的功耗、信号延迟和能效提出了更高要求，基底芯片承担的功能从简单的信号转接升级为集成内存控制器等关键模块，必须采用逻辑FinFET工艺制造。

三星作为全球唯一同时拥有存储、代工和先进封装的整合元件制造商（IDM），得以将HBM4基底芯片的生产内部化——采用自家4nm逻辑工艺搭配1c DRAM核心芯片。这意味着，每售出一颗HBM4，三星也会给自家的逻辑晶圆代工业务带来营收。

这一协同效应的规模效应正在迅速显现。据超能网报道，三星4纳米产线自去年末起已满负荷运转，其中50%至60%的产能被分配用于生产HBM4基底芯片。三星4纳米产线集中在韩国平泽工厂，月产能约3万片晶圆，意味着HBM4至少占用了1.5万片。

更为关键的是，三星HBM4的良品率已从量产初期的不到60%提升至接近80%，提前实现了原定于2026年底达成的目标。HBM4基底芯片放量叠加良率改善，直接拉动了三星8nm及以下先进制程的产能利用率，使其达到满负荷状态，显著减轻了工厂闲置带来的固定成本压力。

Kiwoom证券预估，三星代工与系统LSI部门第三季度亏损将收敛至7770亿韩元（约5.72亿美元）。相比之下，去年上半年单季亏损一度超过2万亿韩元，而今年以来单季亏损已收窄至7000亿至1.2万亿韩元区间。

三星电子在今年第二季度财报电话会上已确认，8nm及以下先进制程的产能利用率达到最高水平，并指出“内存和HBM基底芯片产品”是营收增长的关键因素。三星电子还预计今年第三季度HBM4营收将环比增长3倍以上，下半年HBM4销售额将占HBM总营收的60%以上。

尽管HBM4带来的内部订单显著缓解了亏损压力，但市场分析指出，仅依靠内存相关出货仍难以充分填补代工产线的全部产能。三星代工业务要实现真正的扭亏为盈，仍需依赖外部客户的先进制程订单。不过，在这方面，三星电子已经取得了一些进展。

2025年7月，三星电子已与特斯拉签署价值165亿美元的下一代AI芯片生产合同，为其生产现阶段AI5/6芯片。随后，三星电子还拿到了英伟达平的Groq语言处理单元（LPU）的代工订单。

2026年7月，三星电子与博通签署谅解备忘录，推进价值超过2000亿美元的长期合作，涵盖为博通定制AI加速器供应HBM4及HBM4E，并应用2纳米及以下工艺和先进封装技术。

此外，三星代工业务在今年第二季度赢得了来自主要云服务商及AI/HPC客户的2nm项目订单，客户已开始产品设计。还有相关报道显示，AI技术公司Anthropic也有望将其自研AI芯片交由三星代工。

不过，三星电子要想在明年实现非存储部门的盈利，仍有一定的难度。三星代工业务负责人韩真晚在近期内部简报会上坦言，即便到2027年，晶圆代工业务实现盈利“并非易事”，更现实的扭亏时间点是2028年。他将原因指向特殊绩效奖金制度带来的成本负担，以及业务结构转型尚未完成等结构性挑战。