设计应用

面向SiC驱动的高PSRR LDO设计

作者：吴泽炎，王子明，付伟，叶倩，吴文勇，范宇昊
发布日期：2026-11-04
来源：集成电路应用

引言

SiC MOSFET开关速度远高于硅器件，开关动作会在供电母线产生高频纹波［1-3］。传统单密勒补偿三级低压差线性稳压器（lowdropout linear regulator, LDO）缺少偏置纹波抑制与片上噪声隔离［4-6］，难以适配SiC驱动宽压、强噪声工况。本文提出三项优化：(1)RC滤波偏置阵列抑制低频扰动；(2)带缓冲级隔离的密勒复合补偿改善高频PSRR；(3)分区隔离版图加片上SET（SoftStart+Enable）模块削弱片内噪声耦合。下文阐述电路、仿真与版图设计


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作者信息：

吴泽炎，王子明，付伟，叶倩，吴文勇，范宇昊

(黄山学院信息工程学院，安徽黄山245000)

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