业界动态

SiC深沟槽ICP刻蚀轮廓质量协同调控与工艺适配研究

作者：郭海生
发布日期：2026-11-04
来源：集成电路应用

引言



本文详细内容请下载：

http://www.chinaaet.com/resource/share/2000007326


投稿邮箱：ICAPP@belling.com.cn


作者信息：

郭海生

(同济大学电子与信息工程学院，上海201800)

本站内容除特别声明的原创文章之外，转载内容只为传递更多信息，并不代表本网站赞同其观点。转载的所有的文章、图片、音/视频文件等资料的版权归版权所有权人所有。本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如涉及作品内容、版权和其它问题，请及时通过电子邮件或电话通知我们，以便迅速采取适当措施，避免给双方造成不必要的经济损失。联系电话：010-82306116；邮箱：aet@chinaaet.com。
SiC 深沟槽 ICP刻蚀 轮廓质量 集成电路应用

Copyright © 2005-2024 华北计算机系统工程研究所版权所有 京ICP备10017138号-2